나노제품
레이더센서
핵심기술 및 특징
■ 핵심기술
- 0.13um CMOS 반도체 칩 디자인 기술(물체감지 칩 크기 : 2.9 x 1.2mm2 / Foundry : TSMC)
■ 제품특징
- 물체 이동 감지 : PIR 센서를 대체하기 위하여 최초로 개발된 반도체 칩
- 자연환경에 상관없이 전천후 동작
- 움직임 거리, 속도 측정 가능
■ 핵심기술
- 0.13um CMOS 반도체 칩 디자인 기술(물체감지 칩 크기 : 2.9 x 1.2mm2 / Foundry : TSMC)
■ 제품특징
- 물체 이동 감지 : PIR 센서를 대체하기 위하여 최초로 개발된 반도체 칩
- 자연환경에 상관없이 전천후 동작
- 움직임 거리, 속도 측정 가능
